为探究硅对镉胁迫下香椿的缓解机制,以香椿幼苗为材料,采用水培法调查施加不同浓度硅(0、0.5、1.0和2.0 mmol·L-1)对镉(200 μmol·L-1)胁迫下香椿幼苗的生长指标、渗透平衡、离子吸收、光合特性、抗氧化能力的影响.结果表明:镉胁迫显著抑制香椿幼苗的生长,降低其根系活力、离子含量、光合色素含量、净光合速率(Pn)、气孔导度(Gs)、蒸腾速率(Tr);而相对电导率、胞间CO2浓度(Ci)、过氧化氢(H2O2)和丙二醛(MDA)含量则显著增加.与单独镉处理相比,施加硅后,香椿幼苗的生长指标、根系活力、铁(Fe2+)、锰(Mn2+)、锌(Zn2+)、铜(Cu2+)离子含量、叶绿素和类胡萝卜素含量以及气体交换参数(除Ci)均显著提高,而镉离子(Cd2+)含量、相对电导率、Ci、H2O2和MDA的含量均显著降低.随着施硅浓度的增加,各项生理指标均呈现低促高抑的变化趋势.试验表明,镉胁迫下施加硅可以促进香椿幼苗的生长,增加其体内的离子含量,提高光合作用效率,维持细胞膜渗透平衡和清除体内活性氧,从而缓解镉胁迫对香椿幼苗的毒害作用,且硅浓度为1.0 mmol·L-1时,综合缓解效果最佳.
作者：偶春；程雯慧；王泽璐；沈钟媛；姚侠妹
来源：生态学杂志 2023 年 42卷 2期
